1. IPD60R750E6
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厂商型号

IPD60R750E6 

产品描述

MOSFET N-CH 650V 5.7A

内部编号

173-IPD60R750E6

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:2500
1+¥5.1624
25+¥4.7771
100+¥4.623
500+¥4.3918
1000+¥4.1607
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:648
10+¥5.5195
20+¥5.168
100+¥4.921
200+¥4.8735
500+¥4.826
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:488
10+¥5.5195
20+¥5.168
100+¥4.921
200+¥4.8735
500+¥4.826
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD60R750E6产品详细规格

规格书 IPD60R750E6 datasheet 规格书
IPx60R750E6
IPD60R750E6 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品培训模块
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 750 mOhm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 170µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 17.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 373pF @ 100V
功率 - 最大 48W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

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